文献链接：光迅Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se（Sci.Adv.,2018,DOI:10.1126/sciadv.aat8355）北京大学彭海琳教授和牛津大学陈宇林教授为该工作的共同通讯作者，光迅并列第一作者为陈成博士（牛津）、王美晓博士（上海科技大学）及吴金雄博士（北京大学）。

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