该工作使用多孔碳纳米纤维硫复合材料作为锂硫电池的正极，华为合作伙伴在大倍率下充放电时，华为合作伙伴利用原位TEM观察材料的形貌变化和硫的体积膨胀，提供了新的方法去研究硫的电化学性能并将其与体积膨胀效应联系在了一起。

典型的例子如近年来备受关注的卤化物钙钛矿光电材料，中国其介电常数高达70，中国有效地降低了光生载流子被杂质缺陷的散射或捕获，导致了材料具有超长的载流子迁移距离、较长的载流子寿命、及较高的载流子迁移率，是这类材料高光电转换效率的重要因素之一。一般而言，漫步带隙低于1.0eV适合热电器件，漫步在1～1.7eV适合太阳能电池器件，在1.5～2.3 eV适合室温辐射探测器的应用，在这些带隙区间内存在高介电常数的半导体材料。

作者基于准确可靠的第一性原理高通量材料计算，云端综合考虑介电屏蔽效应与电子结构性质作为筛选尺度，云端针对两类半导体电子和光电子材料——太阳能光伏材料和热电材料，开展了新材料设计研究。非凡随着介电常数的增加带隙呈大致减小的趋势。（c，体验d）从（a，b）中分别选出n型和p型掺杂条件下的EFF值较大的5个材料，计算Seebeck系数。

本文由论文的第一作者、华为合作伙伴吉林大学材料学院在读博士研究生贺欣供稿。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，中国投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

不仅仅对于新兴的钙钛矿光电材料，漫步其他的卤化物半导体，例如核辐射探测材料溴化铊（TlBr），也因其高介电常数，呈现出优异的光电转换性能。

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